FÍSICA DE SEMICONDUCTORES: Act 8: Lección evaluativa No. 2

Act 8: Lección Evaluativa

Comenzado el miércoles, 5 de noviembre de 2014

Completado el miércoles, 5 de noviembre de 2014

Tiempo empleado 40 minutos 10 segundos 

Calificación 50 de un máximo de 50 (100%)

Question 1.

Según lo estudiado en la unidad, si queremos aumentar la tolerancia máxima a la corriente de un BJT, lo mejor es: 

 Seleccione una respuesta. 

a. Disminuir la temperatura 

b. Aumentar la sección transversal de la base para que haya más espacio para los portadores       ✓ Respuesta Correcta 

c. Colocar un aislante entre el semiconductor y la fuente 

d. Aumentar la temperatura 

Aumentar la sección transversal de la base para que haya más espacio para los portadores 

correcto 

Puntos para este envío: 1/1.

Question 2.

Son características de la zona de deflexión en una unión PN:

Seleccione al menos una respuesta.

a. Existe una tensión umbral también llamada barrera de potencial .        ✓ Respuesta Correcta 

b. La mayoría de cargas libres son positivas 

c. No existen cargas libres       ✓ Respuesta Correcta 

d. La mayoría de cargas libres son negativas

Correcto

En una unión PN no existen cargas libres y se produce un campo eléctrico que genera una barrera de potencial, que en el caso del silicio es de 0,7 voltios. 

correcto 

puntos para este envío: 1/1. 

Question 3.

Un diodo Zener opera:

Seleccione una respuesta.

a. En la misma región que el transitor  

b. En la misma región en que el diodo falla       ✓ Respuesta Correcta 

c. En la misma región que el diodo 

d. En todas las regiones, cumpliendo siempre la misma función del mismo modo  

Un diodo zener opera, En la misma región en que el diodo falla

correcto 

Puntos para este envío: 1/1.

Question 4.

si se llega a determinar con exactitud y precisión total que una partícula está en una posición x,y,z específica,

Seleccione una respuesta

a. No hay ningún dato acerca de la velocidad      ✓ Respuesta Correcta 

b. No hay ningún dato de la energía .

c. No hay ningún dato acerca del tiempo que durará en esa posición 

d. No hay ningún dato acerca de la frecuencia

correcto 

Puntos para este envío: 1/1.

Question 5.

El parámetro Beta (B) depende de:

Seleccione una  respuesta. 

a. Tiempo de vida de portadores minoritarios 

b. Concentración de portadores totales       ✓ Respuesta Correcta 

c. La corriente de junturas 

d. Directamente de la temperatura

Beta depende de la concentración de portadores totales 

Correcto 

Puntos para este envío: 1/1.

Question 6.

 Cuál es el sistema cristalino en el que las dimensiones de sus lados A y B son iguales y su lado C diferente, pero en el que todos sus ángulos miden 90 grados?

Seleccione una respuesta.

a. Tetragonal       ✓ Respuesta Correcta 

b. Hexagonal 

c. Monoclinico 

d. cúbico 

El sistema cristalino que cumple con A=B dif C y a=b=g=90° es el tetragonal. 

Correcto 

Puntos para este envío: 1/1.

Question 7.

El boro y el galio son materiales que tiene en su estructura atómica 3 electrones de valencia. El Arsénico y el Fosforo tienen 5. Para disminuir Puntos: 1 el número de electrones libres en el silicio para su uso en los transistores, los fabricantes añaden pequeñas cantidades de: (pregunta con doble respuesta)

Seleccione al menos una respuesta.

a. Galio        ✓ Respuesta Correcta 

b. Boro        ✓ Respuesta Correcta 

c. Postora 

d. Arsénico  

Correcto

Al contaminar el silicio con atómos de 3 electrones de valencia se generan menor cantidad de eléctrones libres.

Correcto 

Puntos para este envío: 1/1.

Question 8.

Escoja cuál de las siguientes afirmaciones es cierta para TODO láser semiconductor.

Seleccione una  respuesta.

a. Emite luz de elevada potencia 

b. Es el único tipo de láser 

c. No requiere luz inicial 

d. No mantiene la intensidad de luz inicial      ✓ Respuesta Correcta 

No mantiene la intensidad de luz inicial

Correcto 

Puntos para este envío: 1/1.

Question 9.

Los transistores PNP funcionan con voltajes de polarización inversos en todos los casos. Suponga que tenemos un circuito amplificador operando en el modo NPN perfectamente y responda la siguiente pregunta.

Si reemplazamos el transistor por un MOSFET canal N haciendo las conexiones de Gate como si fuera Base y Source como si fuera Emisor, entonces

Seleccione una respuesta.

a. Puede averiarse debido a que su canal N se daña cuando es sometido a campo electrostático

b. Se avería necesariamente y 

c La operación es exactamente la misma 

d. Necesariamente cambia el funcionamiento      ✓ Respuesta Correcta 

Correcto 

Puntos para este envío: 1/1.

Question 10.

 En un hamiltoniano de muchas partículas usted encontrará:

Seleccione una respuesta.

a. Una sumatoria de energías °bélicas. potenciales y moleculares b. Un término de energía cinética

c. Una sumatoria de energías cinéticas, potenciales y un término de energías de interacción entre partículas      ✓ Respuesta Correcta 

d. Una sumatoria de energías cinéticas y potenciales  

Una sumatoria de energías cinéticas, potenciales y un término de energías de interacción entre partículas 

Correcto 

Puntos para este envío: 1/1.